Что будет, если поставить флешку на «зарядку» ? Эксперимент.
3) Улучшения качеств флешки. (Увеличение скорости записи или объёма памяти). Но я в этом очень сомневаюсь.
Начинаем наш эксперимент:
1) Я взял свою старую и ненужную флешку, скинул на нее пару видеофайлов, чтобы проверить, не повредятся ли они в процессе эксперимента.
Всем привет, дорогие читатели! Я хочу провести один необычный эксперимент, а именно, что будет, если вставить флешку в зарядное устройство от смартфона. Зарядное устройство имеет выход USB, такой же как на компьютере. Значит, в З/У можно вставить флешку. Но что с ней произойдет? Сейчас всё выясним.
2) Также взял своё зарядное устройство от смартфона, оно у меня самое обычное (5V ; 1А). И вставил его в розетку.
3) Подключил флешку к зарядному устройству. Держал её так около трёх минут, она не загорелась, но слышался высокочастотный звук.
4) После этого подключил флешку к компьютеру, чтобы проверить файлы на повреждения. Файлы полностью целые, всё с ними в порядке. Также скорость и объем памяти флешки остался прежним.
При подключении флешки к зарядному устройству, ничего не произойдет. Она не воспламенится, объем памяти не изменится.
Этого и не должно было произойти, так как напряжение выхода USB из компьютера такое же, как из зарядного устройства. А если подключить флешку напрямую к розетке, то это может закончиться летальным исходом. Не повторяйте это.
Что будет, если вставить флешку в зарядку от телефона
Хотя официальные зарядные устройства таких брендов, как Samsung, Motorola, Xiaomi и других, имеют порт USB-C, многие из них оснащены портом USB-A, к которому можно прекрасно подключить другие устройства, включая USB- накопитель. Что может случиться, если подключить любой флешку, а затем воткнуть его в розетку?
В Интернете, особенно на форумах, существует множество теорий по этому поводу, например, что USB-накопитель может взорваться, если подключить его к источнику питания через зарядное устройство. Есть мнение, что такой эксперимент очень опасен, поскольку может вызвать короткое замыкание или пожар. Но всегда найдется тот кто попробует. Энтузиасты с YouTube решили проверить все теории.
Канал YouTube под названием «Технологии и гениальные решения» опубликовал видео, которое уже набрало на платформе 10 миллионов просмотров. Видео показывает нам и объясняет, что происходит, когда мы подключаем USB-накопитель к зарядному устройству сотового телефона, подключенному к сети. Как вы можете видеть, используются три разных флешки и компьютерная мышь.
Вопреки тому, что многие думают, при подключении USB-накопителя к зарядному устройству для смартфона это устройство не взрывается и не нагревается, единственное, что происходит, — если на нем есть лампочка, оно включается. То же самое происходит и с компьютерной мышью, у которой светодиод, расположенный внизу, загорается, как при подключении ее к настольному ПК или ноутбуку.
реклама
По словам автора видео, когда мы подключаем телефонный кабель к зарядному устройству, на устройство подается большой ток; Однако этого не происходит, когда мы подключаем другие устройства, например USB-накопитель. Почему это происходит? Объяснение довольно простое. Это связано с тем, что величина тока будет зависеть от подключенного электронного устройства, а не от зарядного устройства.
Другими словами, зарядное устройство обеспечивает ток, необходимый устройству. То есть он будет подавать больший ток на сотовый телефон, поскольку он рассчитан на большую нагрузку и будет давать очень низкую нагрузку на другие устройства (USB-память или компьютерную мышь), потому что это то, что им необходимо для работы. «Зарядное устройство не будет выдавать больший ток, чем требуется», — комментирует эксперт.
Стоит отметить, что подобная практика не рекомендуется, если вы используете пиратские или некачественные зарядные устройства. Они обычно не проходят фильтры безопасности и могут вызвать перегрев и повреждение подключенного оборудования, причем не только USB-накопителя, но и вашего смартфона.
USB-флешки: заряжать нельзя игнорировать
В интернете прошла смута под названием «зачем заряжать флешку». На первый взгляд смешно, но предлагаю еще раз подумать и разобраться в вопросе. После прочтения этой статьи вы тоже начнете заряжать свои флешки.
Лично мне ссылочку на статью скинул главный конструктор одного из предприятий радиоэлектронной промышленности с формулировкой «хочешь поржать?».
Пара ссылок по теме:
- www.youtube.com/watch?v=EuCSS9VtxCA
- zen.yandex.ru/media/id/5cebc7044d24ad00b31ddccc/zachem-liudi-zariajaiut-fleshnakopiteli-5d113734e1551900b0ad97a9
USB-флешка является блочным устройством хранения данных: все адресное пространство разбито на секторы по 512 байт. Операционная система может обратиться по адресу определенного сектора (LBA) и прочитать его или перезаписать, все просто.
А теперь заглянем под капот нашей флешки…
В состав флешки входят микросхемы:
- контроллер;
- NAND-flash память.
- Память разделена на блоки, размером порядка единиц Мегабайт;
- Перед записью в блок памяти его необходимо стереть. При стирании все байты данных в блоке устанавливаются в значение 0xFF;
- Блок состоит из страниц, размером порядка десятков Килобайт;
- Запись данных в блок производится страницами, одновременно может быть записана сразу вся страница данных;
- Страницы данных внутри одного блока должны записываться строго в порядке возрастания их номеров;
- Каждая страница после стирания блока может быть записана только единожды до следующего стирания.
Попробуйте представить, как бы эту задачку решили вы, и увидите сходство с игрушкой Ханойская башня.
Для того, чтобы «подружить» user-friendly блочную адресацию накопителя и sadist-friendly адресацию NAND-flash памяти, внутри контроллера флешки крутится процессор, который реализует алгоритм трансляции адресов, он же FTL (Flash Translation Layer). В задачи алгоритма FTL входят:
- построение и поддержка таблицы трансляции адресов (page mapping);
- «сборка мусора» (garbage collection);
- выравнивание износа блоков NAND-flash памяти (wear leveling).
Немного ликбеза по обозначенным пунктам:
Page mapping
Ну, тут, пожалуй, все понятно… Адресное пространство логических адресов накопителя (LBA) транслируется в адреса блоков и страниц NAND-flash памяти (физический адрес) через огромный массив, индекс которого означает LBA, а значение элемента — физический адрес. Если необходимо перезаписать одну страницу, то данные этой страницы пишутся в свободный блок по порядку, а, затем, в массиве заменяется номер страницы на вновь записанный. Когда школьник покупает флешку 32ГБайта, а обнаруживает, что на ней только 29 ГБайт, школьник еще не знает, что недостающее место не китайцы на фабрике украли, а разработчики алгоритма FTL. Чтобы иметь возможность писать данные на накопитель.
Garbage Collection
А что будет со страницей, которая утратила актуальность? Данные, записанные в ней больше не нужны, но стереть ее мы не сможем, потому что стирать дозволено только блоками, а в этом же блоке могут быть еще актуальные страницы. Рано или поздно сложится ситуация, когда у нас больше нет свободных блоков, в которые можно писать страницы. Зато, в остальных блоках то там, то сям будут неактуальные страницы. Чтобы такого не случилось, в накопителях крутится функционал «сборщика мусора», который занимается тем, что отыскивает «дырявые» блоки, в которых меньше всего актуальных страниц, и переносит актуальные страницы в новый блок. Таким образом «дырявый» блок освобождается полностью от актуальных страниц и его можно стереть… А в новом же блоке все страницы остаются актуальными. Напоминает дефрагментацию.
Wear Leveling
Ничто не вечно под луной, а NAND-flash — особенно. Так уж вышло, что NAND-flash память имеет ограниченный ресурс, который выражается ограниченным числом циклов стирания блоков (возрастом блока). Блоки, которые стирались большее число раз (старые блоки), имеют большую вероятность выхода из строя, чем те, которые менее изношенные (молодые блоки).
Задумывались ли вы когда-нибудь над тем, что надо бы таблицу FAT перенести из нулевых адресов накопителя куда-нибудь в другое место, чтобы не протереть дырку в адресном пространстве флешки? Это вряд ли, да и не следует над этим думать. Потому что во флешке работает механизм выравнивания износа блоков. Суть его в том, что молодые блоки, меняются местами со старыми в принудительном порядке, чтобы износ всех блоков был равномерным в течение эксплуатации накопителя. Так у накопителя есть шанс жить долго и счастливо, пока все его блоки не умрут в один день.
А теперь о главном — зачем таки «заряжать» флешки?
1) Бывало у вас такое, что вы изо дня в день собираетесь постирать носки, но каждый вечер оказывается не до этого? А потом наступает такой момент, что чистых носков на завтра просто физически не осталось! И тогда вам приходится жертвовать сном ради стирки носков. Еще хуже, если приходится опаздывать на работу с феном в руках.
Примерно это же происходит и с алгоритмом сборки мусора в FTL. Пользователь зачастую использует флешку для переноса каких-то данных с одного компьютера на другой. При этом, сценарий действий следующий: воткнуть флешку в комп — записать быстро файлы — выдернуть флешку — добежать до другого компа — воткнуть флешку — считать файлы. Через некоторое время пользователь начинает замечать, что его накопитель медленно работает. Обычно в таких случаях грешат на то, что «ну, просто флешка дешевая, старая. Вот, куплю новую, она будет летать!». И действительно будет! Но ее, скорее всего, постигнет та же участь через некторое время. Дело в том, что сценарий таких «короткометражек» не позволяет алгоритму garbage collection производить высвобождение блоков для записи, что рано или поздно приведет к тому, что свободных блоков больше просто физически не останется. И тогда контроллер вынужден сначала заняться высвобождением блоков, а затем только записью ваших файлов в них, отсюда и потеря скорости. Чтобы быть готовым принять ваши данные на полной скорости, накопителю необходимо свободное время для того, чтобы «постирать носки» заранее. Как легко догадаться, «зарядка» флешки снимает эту проблему, предоставляя контроллеру достаточно времени для наведения порядка в данных.
2) Проблема нехватки «личного времени» контроллера актуальна и для алгоритма выравнивания износа. Алгоритм Wear Leveling выполняется контроллером в моменты простоя накопителя, пока нет задач для записи или чтения пользовательских данных. Если же накопитель работает в режиме «короткометражек», то времени на выравнивание износа блоков просто нет. Неравномерный износ блоков приводит к тому, что старые блоки выходят из строя. При этом число доступных для записи блоков уменьшается, пока не наступит критичный момент, когда свободных блоков для записи просто не останется, хотя NAND-flash память в целом еще не изношена, и могла бы еще долго прослужить.
3) Эволюция научила нас прикапывать дорогие нам ценности где-нибудь подальше от проходных мест. Это хорошо работает в случае кладов и необитаемых островов. Но с цифровыми данными и NAND дело обстоит с точностью до наоборот. Наверняка, у вас были случаи, когда вы скинули на флешку какие-то фотографии со свадьбы друга, год флешка полежала в ящике стола (как вам казалось, в целости и сохранности), а потом некоторые из фоток прочитались только наполовину. Дело в том, что единожды записанная в NAND-flash память информация способна «протухнуть» со временем. Производитель памяти не гарантирует 100% сохраняемость данных, а просто озвучивает вероятность возникновения битовых ошибок.
Конечно же, контроллер накопителя решает задачу устранения битовых ошибок, добавляя избыточный код к данным, но какой бы ни был большой этот код, со временем заряд в ячейках NAND-памяти рассасывается, и число битовых ошибок может перевалить за любую корректирующую способность. Нельзя оставлять данные лежать долго в одиночестве в NAND-flash памяти, за ними надо ухаживать. А именно — периодически перезаписывать. Правильный контроллер производит периодически перечитывание данных, контроль числа битовых ошибок и перезапись данных в случае необходимости (пока число битовых ошибок не превысило допустимое). Разумеется, для этого также контроллеру необходимо «свободное время».
Из всего вышесказанного подведу итог: не стесняйтесь «заряжать» флешки, это благоприятно сказывается на их быстродействии и надежности. А если вас захэйтят технари, просто дайте им ссылочку на эту статью.
- usb flash drive
- ssd диски
- твердотельные накопители
- твердотельные диски
- флэшка
- флэш-память
- nand flash
Что будет, если попытаться зарядить USB-флешку? Мы проверили шутку опытным путём
У пользователей твиттера появилась новая забава — советовать людям заряжать USB-флешки от розетки, чтобы они работали быстрее. Medialeaks последовал «вредному совету» и проверил, что станет с флешкой, если попробовать её подзарядить.
Блогер Иван Лучков опубликовал твит, в котором поделился важным для него открытием.
Комментаторы поняли шутку и подыграли автору.
Твит с вредным советом стал распространяться, и редакция Medialeaks решила проверить опытным путём, что станет с флешкой, если подать на неё ток от зарядного устройства. Мы немного подержали флешку «на зарядке».
А потом подключили её к компьютеру.
Как и следовало ожидать, флешка не испортилась — сила тока и напряжение, выходящие из зарядного устройства, сопоставимы с теми, что «выделяет» компьютер, поэтому вряд ли можно сжечь флешку подобным образом (но, увы, работать быстрее она тоже не стала). Так что это может быть забавным способом разыграть друга.
И нет, мы не станем реализовывать идею с микроволновкой.
Ранее Medialeaks писал о почти безобидных розыгрышах на первое апреля, которые обсуждали пользователи Reddit. Но они не всегда бывают весёлыми. Девушка из Америки устроила своему парню истерику, когда он разыграл её, пообещав поездку на курорт. А в Китае распространённая традиция разыгрывать жениха на свадьбе чуть не стала причиной трагедии.