Что было до ddr 1
Перейти к содержимому

Что было до ddr 1

Что было до ddr 1

БлогNot. SIMM, DIMM, DDR и другие — как отличить модули оперативной памяти по внешнему ви.

SIMM, DIMM, DDR и другие — как отличить модули оперативной памяти по внешнему виду?

Если вам периодически приходится ковырять «железо», да ещё и старое, проблема для вас тоже актуальна. В этой заметке написано, как по внешнему виду и размерам определить тип оперативной памяти.

«Персоналки» эволюционировали быстро и в них последовательно применялось несколько разных и несовместимых между собой типов оперативной памяти. Естественно, Вы можете засунуть в свой компьютер только тот тип «оперативки», для которого на материнской плате есть подходящий слот.

Исторически первой была память SIMM на 30 контактов, её ставили на компьютеры с процессорами от 286 до 486, сейчас такая память вряд ли где-то используется. Линейный размер модуля памяти равен 89,03 мм, а выглядел он так:

SIMM на 30 контактов, 89,03 мм

В IBM-совместимых компьютерах также использовалась SIMM на 72 контакта с линейным размером модуля 108,2 мм. Существовало 2 типа таких модулей — FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Память FPM ставилась на материнские платы компьютеров с 486 процессором и на первые Pentium’ы (примерно до 1995 года выпуска). После этого перешли на EDO. В отличие от FPM, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

SIMM на 72 контакта, 108,2 мм

Конструктивно модули одинаковы, отличить их между собой можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, обычно могли работать и с FPM, а вот обратной совместимости не было.

Примерно с 1996 года большинство производителей стали поддерживать тип памяти SDRAM, получивший название DIMM (Dual In-line Memory Module). Основное отличие DIMM — контакты, расположенные на разных сторонах модуля, независимы, а на SIMM они были замкнуты между собой и передавали одни и те же сигналы. В первых DIMM было 72 контакта, а в современных модулях DDR4, формально относящихся к этому же типу, аж 288 контактов.

Линейный размер модуля DIMM равен 133,8 мм. Стандартный 5.25-дюймовый слот памяти DIMM, кстати, имеет размер 133,35 мм.

Память DIMM была очень широко распространена примерно до 2001 года, её использовали большинство компьютеров Pentium и Celeron. После этого настало время DDR и память практически перестали называть «сим» или «дим».

DIMM на 168 контактов, 133,8 мм

RIMM — это отдельный стандарт оперативной памяти, появившийся в 1999 году. Архитектура памяти RIMM существенно отличается от DIMM/DDR, в персональных компьютерах память RIMM практически не применялась, а вот в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64 — да. Существуют 184-, 168- и 242-контактные RIMM.

RIMM, 133,5 мм

DDR (Double Data Rate) стал следующим поколением SDRAM, впервые такие модули появились на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и классическими SDRAM — для ускорения работы вместо удвоения тактовой частоты модули DDR передают данные дважды за один такт.

DDR на 184 контакта, 133,35 мм

DDR2 — это более новый вариант DDR, теоретически в 2 раза более быстрый. Такая память появилась в 2003 году, а в 2004 стала уже весьма распространённой. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду DDR2 отличается от DDR количеством контактов, 240 против 184 у первого DDR. Линейный размер модуля не изменился.

DDR2 на 240 контактов, 133,35 мм

DDR3 (появился в 2007 г.), как и DDR2, представляет собой 240-контактную печатную плату, имеющую по 120 контактов с каждой из двух сторон, но с DDR2 модуль DDR3 электрически не совместим, поэтому расположение «ключа» сделали иным, чтобы не жечь зря память:

DDR3 на 240 контактов, 133,35 мм, положение ключа другое!

DDR3 на 240 контактов, 133,35 мм, положение ключа другое!

Подробней внешнее отличие между DDR, DDR2 и DDR3 видно на этой картинке:

DDR, DDR2, DDR3, сравнение планок по внешнему виду

DDR, DDR2, DDR3, сравнение планок по внешнему виду

Тип памяти DDR4 появился в 2014 году, он отличается от предшественника удвоенным до 16 количеством внутренних банков, что позволило увеличить скорость передачи внешней шины.

DDR4 на 288 контактов, 133,35 мм

DDR4 на 288 контактов, 133,35 мм

13.01.2018, 13:35 [29003 просмотра]

DDR SDRAM: удвоение скорости

Андрей Борзенко Эксперты из корпорации Dataquest полагают, что в 2001 г. объем продаж микросхем памяти достигнет 220 млрд. долл., — это по сравнению со 153 млрд. в 1999-м и около 190 млрд. в 2000 г. По прогнозам компании Semico Research (http://www.semico.com), занимающейся исследованиями и анализом рынка полупроводниковых устройств, в 2001 г. доля памяти типа SDRAM (Synchronous DRAM) снизится до 74,6%, DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) вырастет до 17%, а RDRAM (Rambus DRAM) упадет до 2,5%. Другие аналитики дают еще более оптимистичный прогноз для DDR SDRAM, доля которой на рынке динамической памяти в следующем году должна вырасти до 25%. Так что ожидаемой войны стандартов памяти скорее всего не будет. В недалеком будущем DDR SDRAM станет не только основным решением для настольных ПК и серверов, но и проникнет на рынок мобильных устройств.

Технологии динамической памяти

По мере дальнейшего увеличения быстродействия микропроцессоров эффективное быстродействие элементов памяти становится узким местом компьютерных систем. Если частоты микропроцессоров давно превысили частоты системной шины, то шина памяти до самого последнего времени работала синхронно с последней. Значения этих частот явно указывались в спецификации на типы синхронной динамической памяти SDRAM: PC66, затем PC100 и наконец PC133. Однако в то время как частота шины памяти увеличилась на треть и соответственно на столько же возросла ее пропускная способность (с 800 Мб/с до 1064 Мб/с), частоты микропроцессоров повысились в два с половиной раза — с 400 МГц до 1 ГГц. Действительно, если пропускная способность PC133 SDRAM составляет лишь 1064 Мб/с, то современным ПК требуется вдвое большая полоса пропускания (1 Гб/с для микропроцессора с частотой системной шины 133 МГц, столько же для графической шины AGP 4x и 132 Мб/с для 33 МГц шины PCI, что в сумме составляет более 2 Гб/с).

МТ/с и МГц: лучшее измерение скорости работы памяти

Линейка продукции Kingston FURY и модулей памяти Kingston

МГц — это сокращение от мегагерц и означает миллион циклов в секунду, или один миллион герц (10 6 Гц). Эта единица измерения частоты взята из Международной системы единиц и в вычислениях используется для обозначения скорости, с которой данные перемещаются внутри компонентов и между ними.

Когда в конце 1990-х годов была представлена SDRAM (синхронная динамическая оперативная память), скорость передачи данных измерялась синхронно с тактовой частотой системной платы, при этом передача данных происходила по переднему фронту тактового цикла. При измерении производительности памяти SDRAM частота 100 МГц соответствует 100 x 10 6 передач данных за такт.

В начале 2000-х гг. появилась память SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR). Эта технология памяти удвоила количество передач данных за такт, ведь передача данных происходила по переднему и заднему фронтам цикла.

Однако единица измерения не изменилась. При тактовой частоте 100 МГц память DDR удвоила эффективную скорость передачи данных до 200 миллионов передач данных за каждый такт. Давно требовалось новое, более точное описание.

Что такое МТ/с?

МТ/с — это сокращение от мега (или миллиона) передач (трансферов) данных в секунду и более точное измерение эффективной скорости передачи данных (скорости) памяти SDRAM DDR при вычислениях. МТ/с — это сокращение от мегатрансферов (или миллионов передач) в секунду.

SDRAM
Такт: 100 МГц
Скорость передачи данных: 100 МТ/с
Пропускная способность: 800 МБ/с

SDRAM DDR
Такт: 100 МГц
Скорость передачи данных: 200 МТ/с
Пропускная способность: 1600 МБ/с

Модуль памяти Hynix DDR SDRAM 1x 1 Гб

Модуль памяти Hynix DDR SDRAM 1x 1 Гб <PC-3200></p> <p>» width=»500″ height=»500″ /></p> <p>        <i>Назад</i> <img decoding=, вид основной» width=»64″ height=»64″ />

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *